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2026년에 접어들며 삼성의 파운드리 사업이 전환점을 맞이한 것으로 보입니다. 최근 2nm 공정 노드 개발 및 고객사 수주 협상 진척이 매우 순조로운 것으로 나타났습니다. 최근 보고에 따르면 2nm GAA 공정은 지속적인 진전을 거듭하여 현재 수율이 60%에 도달했으며, 목표치인 70%에 한 걸음 더 다가섰습니다.
트렌드포스(TrendForce)에 따르면, 삼성은 첨단 반도체 기술에 대한 투자를 확대하고 있으며, 2030년까지 1nm 공정 노드 개발을 완료하고 양산을 달성하여 차세대 공정 기술 파운드리 시장에서 주도권을 잡는 것을 목표로 하고 있습니다. 동시에 삼성은 2nm 공정 노드에 대한 집중도를 높이고 다양한 공정 기술 포트폴리오를 확장하여 주요 고객사를 추가로 유치할 계획입니다.
1nm 공정 노드에서 삼성은 새로운 트랜지스터 아키텍처인 "포크시트(Forksheet)" 트랜지스터 구조를 도입할 것으로 예상됩니다. 삼성은 3nm 공정 노드부터 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 구조를 도입하여 전류 경로를 기존 3면에서 4면으로 확장함으로써 전력 효율을 극대화했습니다. 포크시트는 여기서 더 진화한 형태로, 포크 모양의 층 기술을 사용하여 트랜지스터 사이에 절연벽을 추가함으로써 트랜지스터 간 간격을 줄입니다. 이를 통해 사용되지 않는 공간을 제거하여 동일한 칩 면적 내에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있습니다.
지난해 서울에서 열린 SAFE 2025에서 삼성은 "SF2P+"라 불리는 3세대 2nm 공정을 선보였습니다. 또한, 삼성은 테슬라(Tesla)의 AI6 칩을 위해 "SF2T"라는 맞춤형 공정을 개발 중입니다. 삼성은 올해 3세대 2nm 공정인 SF2P의 배치를 시작하고, 내년에 SF2P+를 출시할 계획입니다.
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