**번역본뉴스입니다. 오역이 있을수 있습니다.

첨단 메모리 기술 분야의 세계적 선도 기업인 삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 Future of Memory and Storage (FMS) 2026 행사에서 최신 AI 메모리 혁신 기술을 선보였습니다.

DRAM, NAND, 기업용 스토리지 및 관련 첨단 반도체 기술 전반에 걸친 광범위한 전문성을 바탕으로, 삼성전자는 zHBM 및 zNAND-O 콘셉트 모델 최초 공개, 업계 최초 400단 이상 V10 BV-NAND 발표 등 미래 AI 인프라를 발전시키기 위한 포괄적인 솔루션 라인업과 기술 로드맵을 발표했습니다. 아울러 FMS 2026 현장에서 AI 클라우드 서버에서 영감을 얻은 부스를 마련하여 약 30여 개의 메모리 및 스토리지 기술을 전시 중입니다.

개막 기조연설에는 삼성전자 메모리사업부 이진엽 부사장(Flash개발실장)과 김경륜 상무(DRAM설계팀 프로젝트리더)가 연사로 나서 미래 메모리 솔루션의 차세대 3D 구조를 주제로 발표를 진행했습니다.

"AI 혁신의 물결을 이끌다: 메모리 및 스토리지 아키텍처의 3D 혁신(Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture)"이라는 주제로 진행된 이번 기조연설에서 삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 AI 인프라의 급격한 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력 효율을 극대화하기 위한 비전을 제시했습니다.

또한, 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술 기반의 V10 BV-NAND 아키텍처를 업계 최초로 공개했습니다.

차세대 3D 메모리를 향한 삼성전자의 비전

FMS 2026에서 삼성전자는 업계 최초로 zHBM과 zNAND-O 콘셉트 모델을 공개하며 차세대 3D 메모리 아키텍처 비전을 제시했습니다.

첨단 AI 컴퓨팅을 위해 설계된 zHBM은 HBM을 프로세서 수평 옆에 배치하던 기존 방식을 넘어, AI 가속기 바로 위에 HBM을 수직으로 직접 적층하는 새로운 메모리 아키텍처입니다.

AI 프로세서와 메모리 간의 데이터 이동 거리를 극대화하여 줄임으로써 높은 대역폭과 향상된 전력 효율을 제공하도록 설계되었으며, 대규모 AI 학습 및 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 가능하게 합니다.

zHBM을 통합한 차세대 인터페이스 시스템은 HBM5 대비 약 8배의 성능을 구현할 것으로 기대됩니다. 차세대 웨이퍼 본딩 기술을 통해 zHBM은 HBM5 대비 10배 이상의 메모리 밀도를 달성하는 동시에 에너지 효율을 3배 향상시키고 열 저항을 절반 이상 감소시켜 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력 효율성을 극대화합니다.

또한 zHBM은 고객 맞춤형 설계를 지원하여 메모리와 AI 가속기 사이의 인터레이어(중간층)에 커스텀 IP를 통합, 메모리 용량 확장 및 가속기 성능 향상을 이끌어낼 수 있습니다. 삼성전자는 고객과의 긴밀한 협력을 바탕으로 zHBM을 통해 AI 프로세서와 메모리의 통합을 더욱 최적화해 나갈 계획입니다.

삼성전자는 V-NAND 기술을 기반으로 4단 및 8단 버전으로 개발 중인 차세대 고성능 NAND 솔루션인 zNAND-O도 함께 소개했습니다. 높은 공간 효율성, 향상된 I/O 성능, 낮은 지연 시간을 결합한 zNAND-O는 실시간 데이터 집약적 AI 애플리케이션을 지원하는 엣지 AI 환경에 최적화되어 있습니다.

업계 최초 V10 BV-NAND 공개

삼성전자는 새로운 본딩 V-NAND(Bonding V-NAND) 아키텍처를 적용한 V10 BV-NAND를 공개했습니다. 이는 2013년 플래시 메모리 서밋에서 업계 최초로 V-NAND 기술을 선보인 지 13년 만의 일로, 삼성전자 NAND 혁신의 또 다른 이정표를 세웠습니다.

400단 이상의 레이어를 자랑하는 V10 BV-NAND는 스토리지 밀도를 획기적으로 높이면서도 향상된 성능과 전력 효율을 선사합니다. 메모리 셀을 적층하기 위해 웨이퍼 본딩 기술을 적용함으로써 이전 세대(V9) 대비 메모리 밀도를 약 58% 향상시켰습니다.

단수 증가 외에도 V10 BV-NAND는 전 세대 대비 읽기, 쓰기 및 I/O 성능을 크게 개선하여 향후 AI 시스템과 애플리케이션을 위한 고성능·고용량 NAND 시장을 지원합니다.

HBM부터 PIM, 기업용 스토리지까지 이어지는 AI 메모리 로드맵

삼성전자는 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763을 포함한 최신 AI 메모리 및 스토리지 포트폴리오를 선보이며 차세대 AI 컴퓨팅 및 데이터 센터 인프라를 위한 로드맵을 강조했습니다.

지난 2월 1c DRAM 및 4나노(nm) 베이스 다이 기술을 활용해 업계 최초로 HBM4 양산에 성공한 데 이어, 삼성전자는 5월 글로벌 고객사들에게 HBM4E 샘플 출하를 가장 먼저 시작하며 차세대 HBM 리더십을 공고히 했습니다.

HBM4E 샘플 및 HBM5 모델과 함께, 지능형 PIM(Processing-In-Memory) 기술이 적용된 업계 최초의 LPDDR 메모리인 LPDDR5X-PIM을 전시했습니다. 이 솔루션은 메모리 내부에서 직접 데이터를 처리하도록 설계되어 데이터 이동과 전력 효율을 크게 개선합니다.

전시회에서는 AI 데이터 센터의 급증하는 스토리지 수요를 충족하도록 설계된 PM1763 및 BM1773을 포함한 최신 기업용 스토리지 솔루션도 마련되었습니다.

원스톱 턴키(One-Stop Turnkey) 솔루션

메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 업계 선도 역량을 갖춘 세계 유일의 종합반도체기업(IDM)으로서, 삼성전자는 AI 시대의 진화하는 요구를 지원하는 차세대 AI 인프라용 엔드 투 엔드(End-to-End) 전략을 제시했습니다.

삼성전자는 제품 설계부터 양산까지 통합된 개발 및 제조 서비스를 제공하여 개발 주기를 단축하는 동시에 성능과 전력 효율을 최적화함으로써, 고객이 차별화된 AI 반도체 솔루션을 시장에 신속하게 출시할 수 있도록 지원합니다.

삼성전자뉴스룸 - https://news.samsung.com/global/samsung-unveils-next-gen-3d-memory-vision-at-fms-2026-charting-the-future-of-ai-infrastructure