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Qualcomm은 최초 2 nm 칩셋의 성능을 선보이기까지 전체 1년을 기다려야 하지만, 이번 달 말에 현재 세대 플래그십 SoC인 Snapdragon 8 Elite보다 약간 더 강력한 버전을 공개할 예정입니다. 해당 제품의 직접적인 후속 모델은 Snapdragon 8 Elite Gen 5라는 이름이 될 것으로 전해지고, Snapdragon 8 Elite Gen 2가 아니라는 점이 루머로 알려졌습니다. 그러나 에너지 효율 측면에서는 최신 루머가 실망스러운 전망을 제시하고 있습니다. 바로 전작과 거의 동일한 와트 수를 소비한다는 내용입니다.

효율성 개선이 이루어지지 않은 이유는 Qualcomm이 Snapdragon 8 Elite Gen 5의 퍼포먼스 코어와 효율성 코어 클럭을 올리면서도, 단지 TSMC의 3 nm 공정 업데이트 버전만을 사용했기 때문일 가능성이 있습니다.

Weibo의 Digital Chat Station에서 전해진 루머에 따르면 Snapdragon 8 Elite Gen 5는 성능 향상이 이루어질 것이라고 하는데, 이는 긍정적인 부분이지만 동시에 약간의 실망도 동반됩니다. 해당 루머에 따르면 Snapdragon 8 Elite는 9월 23일 공개 예정인 새로운 플래그십과 동일한 전력 소비량을 공유할 것으로 보이며, 이는 TSMC의 3세대 3 nm 공정(‘N3P’)을 사용한 결과일 수 있습니다.

간단히 말해, 이 기술은 반도체 제조업체의 2세대 3 nm 공정을 광학적으로 축소한 것으로, 동일한 전력 소비 대비 약 5 % 정도의 성능 향상을 제공한다고 합니다. 또는 같은 클럭 속도에서 배터리 수명을 5 ~ 10 % 정도 개선할 수도 있다고 정리됩니다. 따라서 Qualcomm이 2026년에 선보일 플래그십 실리콘은 3 nm에서 2 nm로 전환함에 따라 더 나은 특성을 보일 것으로 기대됩니다.

공정 면에서는 Qualcomm이 문서상으로는 동일한 제조 공정을 사용하지만, 실제로는 약간의 리소그래피 단계 상승을 이루고 있습니다. 그렇다고 해서 Snapdragon 8 Elite Gen 5에서 가능한 모든 성능을 짜내지 않을 것이라고 단정할 수는 없습니다. 예를 들어 Galaxy S26 Edge에서 테스트한 언더클럭 버전은 퍼포먼스 코어를 4.74 GHz 대신 4.00 GHz로 낮췄음에도 불구하고 싱글코어와 멀티코어 테스트 모두에서 Snapdragon 8 Elite보다 높은 점수를 기록했습니다.

다행히도 현재 우리는 실리콘‑카본 배터리 기술 시대에 살고 있기 때문에, Qualcomm의 여러 중국 파트너들은 대용량 배터리를 탑재한 기기에 Snapdragon 8 Elite Gen 5를 최대 성능으로 구동하도록 기꺼이 적용할 것입니다. 이렇게 하면 해당 스마트폰은 여전히 몇 시간 동안 지속될 수 있습니다. 아직 발견되지 않은 추가 차이점이 있다면, 곧 독자 여러분께 업데이트해 드리겠습니다.

출처 : https://m.weibo.cn/u/6048569942?is_hot=1%3Fis_hot%3D1&is_hot=1&jumpfrom=weibocom