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스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림(Snapdragon X2 Elite Extreme)과 스냅드래곤 X2 엘리트(Snapdragon X2 Elite)는 퀄컴 최초의 노트북용 3nm 칩셋으로 발표되었으며, 노트북에서 타의 추종을 불허하는 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 회사의 최고급 18코어 SoC는 단일 또는 두 개의 코어에서 최대 5.00GHz에 도달합니다.

공식 발표에서 흥미로웠던 점은 샌디에이고(퀄컴 본사) 측이 자사 칩셋이 TSMC의 3nm N3E를 사용하는지 아니면 더 최신인 3nm N3P 노드를 활용하는지 밝히지 않았다는 것입니다.

하지만 새로운 보고서를 통해 밝혀진 놀라운 사실은 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림이 3nm N3X 공정을 사용하여 제조된다는 것입니다. 이 리소그래피(공정)는 뛰어난 성능을 염두에 두고 개발되었지만, 아래에서 논의할 몇 가지 타협점을 초래할 수 있습니다.

퀄컴은 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림에 대해 가능한 최고의 성능을 우선시했지만, 이것이 반드시 최고의 효율성을 의미하는 것은 아니며, TSMC의 3nm N3X는 효율성으로 유명하지 않습니다.

Moor Insights & Strategy의 심층 분석은 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림을 둘러싼 몇 가지 흥미로운 사양을 보여줍니다. 이전에 우리는 퀄컴의 최신 최고급 SoC가 RAM, 스토리지 및 기타 부품과 같은 여러 회로 및 구성 요소를 통합하여 단일 패키지를 형성하는 SiP(System-in-Package)를 채택했다고 보도한 바 있습니다.

이는 메모리 칩을 CPU 다이(die) 가까이에 배치하여 메모리 대역폭을 늘리는 애플의 통합 RAM 아키텍처와 유사합니다. 이 때문에 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림의 가장 강력한 모델은 228GB/s에 도달할 수 있으며, 이는 M5보다 높지만 M4 Pro의 273GB/s 메모리 대역폭보다는 낮습니다.

제조 공정과 관련하여, 보고서는 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림이 3nm N3X 노드를 활용한다고 명시하고 있으며, 이는 상용 칩셋이 TSMC의 3nm N3P 공정에서 벗어난 첫 번째 사례입니다. 또한 이 칩셋은 310억 개의 트랜지스터를 특징으로 하며, 고성능 컴퓨팅 제조 공정을 통해 3nm N3P 대비 5%의 성능 향상을 제공합니다.

"플랫폼을 높은 수준에서 고려할 때, 퀄컴의 X2 엘리트 익스트림 칩은 이번 세대에서 최고의 성능을 제공하기 위한 회사의 최대 노력을 나타냅니다. 예를 들어, 192비트 메모리 버스, 128GB 메모리, 9523 MT/s RAM은 최대 228 GB/s의 메모리 대역폭을 제공하여 메모리가 병목 현상을 일으키지 않도록 보장합니다. 또한 이 칩은 TSMC의 N3X 공정 노드를 기반으로 구축되었으며 총 310억 개 이상의 트랜지스터를 갖추고 있습니다."

스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림은 1.0V 이상의 전압에서 작동하도록 설계되어 클럭 속도 증가와 고성능을 극대화하지만, 3nm N3P에 비해 밀도와 효율성이 떨어지는 대가를 치릅니다. 불행히도, 3nm N3X의 이점에도 불구하고 퀄컴의 최고급 실리콘은 Cinebench 2024의 싱글 코어 및 멀티 코어 벤치마크에서 여전히 애플의 M4 Max보다 느립니다.

스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림은 제약 없이 작동할 때 100W 임계값을 넘어설 수 있고 특정 노트북 섀시에서는 지속적으로 40W를 유지할 수 있으므로, 결과가 실망스러운 점은 놀랍습니다. 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림이 패배를 기록한 또 다른 영역은 GPU 부문으로, M4 Pro는 3DMark Steel Nomad Light Unlimited 및 3DMark Solar Bar Unlimited와 같은 합성 그래픽 집중 벤치마크에서 최대 45% 더 빠릅니다.

지금까지 퀄컴의 3nm N3X 공정으로의 전환은 회사가 원했던 만큼의 성과를 거두지 못했지만, 우리는 스냅드래곤 X2 엘리트 익스트림의 전체적인 진실을 드러내지 않는 몇 가지 벤치마크만 확인했을 뿐입니다. 앞으로 흥미로운 결과가 나오기를 바라며, 계속 지켜봐 주시기 바랍니다.

뉴스 출처: Moor Insights & Strategy